IPP60R125C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
部品番号：
IPP60R125C6XKSA1
代替モデル：
SIHG100N60E-GE3 , IPP60R040C7XKSA1 , 2EDN7524FXTMA1 , 2EDN7523FXTMA1
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
RoHS の：
YES
IPP60R125C6XKSA1 仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-220-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
600 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO220-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
30A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.5V @ 960µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
96 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2127 pF @ 100 V
消費電力(最大)：
219W (Tc)
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：2071
数量
単価
国際価格
1
6.09
6.09
50
4.83
241.5
100
4.14
414
500
3.69
1845
1000
3.16
3160
2000
2.97
5940
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