NTD4960N-1G
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
部品番号:
NTD4960N-1G
製造元:
Sanyo Semiconductor/onsemi
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
説明:
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
RoHS の:
NO
NTD4960N-1G 仕様
取付タイプ:
Through Hole
FETタイプ:
N-Channel
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン):
4.5V, 10V
Vgs (最大):
±20V
Vgs(th) (最大) @ ID:
2.5V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
30 V
パッケージ・ケース:
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ:
IPAK
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
8mOhm @ 30A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1300 pF @ 15 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
8.9A (Ta), 55A (Tc)
消費電力(最大):
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
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標準包装数量:1600
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