SI4890DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
部品番号：
SI4890DY-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
RoHS の：
YES
SI4890DY-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SOIC
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs (最大)：
±25V
消費電力(最大)：
2.5W (Ta)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
20 nC @ 5 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
11A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
12mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
800mV @ 250µA (Min)
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