SI7452DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
部品番号：
SI7452DP-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SI7452DP-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4.5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
160 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
1.9W (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
11.5A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8.3mOhm @ 19.3A, 10V
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