SI7852DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
部品番号:
SI7852DP-T1-GE3
代替モデル:
573100D00010G  ,  MCP6054-E/ST  ,  0857891003  ,  BZX84C12LT1G  ,  SI2325DS-T1-E3  ,  MP9486GN-Z  ,  SI7119DN-T1-GE3  ,  LFXTAL055663BULK  ,  FSV1045V  ,  LTC4440AHMS8E-5#PBF  ,  SI7252DP-T1-GE3  ,  SIR124DP-T1-RE3  ,  PA2649NL  ,  MOCD217R2M  ,  B1100-13-F
製造元:
Vishay / Siliconix
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
説明:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
RoHS の:
YES
SI7852DP-T1-GE3 仕様
取付タイプ:
Surface Mount
FETタイプ:
N-Channel
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン):
6V, 10V
Vgs (最大):
±20V
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
80 V
サプライヤーデバイスパッケージ:
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース:
PowerPAK® SO-8
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
7.6A (Ta)
Vgs(th) (最大) @ ID:
2V @ 250µA (Min)
消費電力(最大):
1.9W (Ta)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
41 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
16.5mOhm @ 10A, 10V
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メーカー標準納期:保留中
標準包装数量:2967
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