SQ4850EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
部品番号：
SQ4850EY-T1_GE3
代替モデル：
LM74610QDGKTQ1 , BAS19-E3-08 , PESD4USB5B-TTSX , SQ4850EY-T1_BE3 , V18AUMLA2220H , LTC3814EFE-5#PBF , LTC4359HDCB#WTRPBF , PCA9615DPZ , REF2033AIDDCR , GRPB052VWVN-RC , B1100-13-F , DV75C-040.0M , QDZT18R5.6 , SQ4850CEY-T1_GE3 , INA300AIDGSR
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
RoHS の：
YES
SQ4850EY-T1_GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SOIC
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.5V @ 250µA
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
資格：
AEC-Q101
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1250 pF @ 25 V
消費電力(最大)：
6.8W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
22mOhm @ 6A, 5V
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