SQJ456EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
部品番号：
SQJ456EP-T1_GE3
代替モデル：
PSMN028-100YS , 115 , PSMN016-100YS , 115 , SQJ479EP-T1_GE3 , SQJ402EP-T1_GE3 , SQJ469EP-T1_GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SQJ456EP-T1_GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
6V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
資格：
AEC-Q101
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
63 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
32A (Tc)
消費電力(最大)：
83W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
26mOhm @ 9.3A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
3342 pF @ 25 V
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