SUD19P06-60L-E3
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
部品番号：
SUD19P06-60L-E3
代替モデル：
RHA1C151MCN1GS , CT-1205CL-SMT-TR , PESD5V0U5BV , 115 , 405C35D10M00000 , RJSSE-5080 , EEH-ZA1H101P , OVSA1BBC2R8 , NUP2201MR6T1G , BQ29209DRBR , LP38693MP-5.0/NOPB , MINISMDC260F/16-2 , P4SMA6.8CA
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
RoHS の：
YES
SUD19P06-60L-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-252AA
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
19A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
60mOhm @ 10A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1710 pF @ 25 V
消費電力(最大)：
2.7W (Ta), 46W (Tc)
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：23001
数量
単価
国際価格
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0.57
1140
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0.55
3300
10000
0.53
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