TPH5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
部品番号：
TPH5900CNH,L1Q
代替モデル：
SQJ872EP-T1_GE3 , BSZ900N15NS3GATMA1 , TPS26601RHFT , SQSA70CENW-T1_GE3 , TLP2372(TPL , E , TPH3300CNH , L1Q , LM43600PWPT , IPB060N15N5ATMA1 , SIR510DP-T1-RE3 , DMTH15H017SPS-13 , TPH2900ENH , L1Q , NTMFS4C302NT1G , RB168MM200TFTR , 7466205R , LM43601PWPT
製造元：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
RoHS の：
YES
TPH5900CNH,L1Q 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
動作温度：
150°C (TJ)
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
9A (Ta)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
150 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 200µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
59mOhm @ 4.5A, 10V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
7 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
1.6W (Ta), 42W (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
600 pF @ 75 V
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