TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
部品番号：
TPN2010FNH,L1Q
代替モデル：
TPN1110ENH , L1Q , MJD31CH-QJ , SK320B , SI3127DV-T1-GE3 , BSZ42DN25NS3GATMA1 , LT1210CR#PBF , A3950SEUTR-T , SIA456DJ-T1-GE3 , 150060RS75000 , SI7922DN-T1-E3 , BSS316NH6327XTSA1 , PUMT1 , 115 , BGM220PC22HNA2 , MMPQ6700 , FTSH-105-01-L-DV-K-P
製造元：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
RoHS の：
YES
TPN2010FNH,L1Q 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
動作温度：
150°C (TJ)
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
250 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 200µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
5.6A (Ta)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
7 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
198mOhm @ 2.8A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
600 pF @ 100 V
消費電力(最大)：
700mW (Ta), 39W (Tc)
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