TPN7R506NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
部品番号：
TPN7R506NH,L1Q
代替モデル：
TSR 2-2490 , TPN11006PL , LQ , LM5109BSD/NOPB , AD8206YRZ , BR24L64F-WE2 , LM74700QDDFRQ1 , SIR680ADP-T1-RE3 , SI3127DV-T1-GE3 , SRF2012A-121YA , 742792030 , MAX491ESD+ , DSPIC33EP256GM710-I/PT , V8PAM10HM3/I , PMEG2010ER-QX , MMFTP3401
製造元：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
RoHS の：
YES
TPN7R506NH,L1Q 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
動作温度：
150°C (TJ)
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-TSON Advance (3.1x3.1)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
22 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1800 pF @ 30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
26A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 200µA
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
6.5V, 10V
消費電力(最大)：
700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
7.5mOhm @ 13A, 10V
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