SSM6N56FE,LM
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
部品番号：
SSM6N56FE,LM
代替モデル：
RB531SM-30T2R , M1MA151KT1G , SSM6L14FE(TE85L , F) , FDY302NZ , SSM6N35AFE , LF , SSM3K345R , LF , SI2301CDS-T1-GE3 , BLM18EG221SN1D , MT25QU512ABB8ESF-0SIT , SSM3J331R , LF , SSM6L56FE , LM , VZ30C1T8219732L , LM4040D41IDBZR , EZA-EG2A50AX , MAX40203AUK+T
製造元：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
RoHS の：
YES
SSM6N56FE,LM 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
動作温度：
150°C (TJ)
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
構成：
2 N-Channel (Dual)
パワー - 最大：
150mW
パッケージ・ケース：
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ：
ES6
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
1nC @ 4.5V
FETの特徴：
Logic Level Gate, 1.5V Drive
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
800mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
235mOhm @ 800mA, 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
55pF @ 10V
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