TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
部品番号：
TPW4R50ANH,L1Q
代替モデル：
BSC037N08NS5ATMA1 , SM72295MAX/NOPB , TPW1R306PL , L1Q , BSC040N08NS5ATMA1 , TPH4R50ANH1 , LQ , IPT015N10N5ATMA1 , XPW4R10ANB , L1XHQ , TPH3R70APL , L1Q , LT3753MPFE#PBF , BSC070N10LS5ATMA1 , 7461099 , LT8650SIV#PBF , SSM6N815R , LF , NVMFWS3D6N10MCLT1G , IRS2184SPBF
製造元：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
RoHS の：
YES
TPW4R50ANH,L1Q 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
動作温度：
150°C (TJ)
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
58 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
800mW (Ta), 142W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-DSOP Advance
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
92A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
5200 pF @ 50 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
4.5mOhm @ 46A, 10V
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