BSC029N025S G
MOSFET N-CH 25V 24A/100A TDSON
BSC029N025S G사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
8-PowerTDFN
드레인-소스 전압(Vdss)：
25 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
41 nC @ 5 V
공급자 장치 패키지：
PG-TDSON-8-1
전력 소비(최대)：
2.8W (Ta), 78W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
24A (Ta), 100A (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2V @ 80µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
2.9mOhm @ 50A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
5090 pF @ 15 V
