BSC052N03S G
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
BSC052N03S G사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
패키지/케이스：
8-PowerTDFN
Vgs(일)(최대) @ Id：
2V @ 40µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
22 nC @ 5 V
공급자 장치 패키지：
PG-TDSON-8-6
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5.2mOhm @ 50A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
18A (Ta), 80A (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2820 pF @ 15 V
전력 소비(최대)：
2.8W (Ta), 54W (Tc)
