BSO080P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
BSO080P03SNTMA1사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지：
PG-DSO-8
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.2V @ 250µA
Vgs(최대)：
±25V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
136 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
1.79W (Ta)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12.6A (Ta)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
5890 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
8mOhm @ 14.9A, 10V
