BTS113ANKSA1
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
BTS113ANKSA1사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
Vgs(최대)：
±10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급자 장치 패키지：
TO-220AB
패키지/케이스：
TO-220-3
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 1mA
전력 소비(최대)：
40W (Tc)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
11.5A (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
560 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
170mOhm @ 5.8A, 4.5V
