BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
BUZ30AH3045AATMA1사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
전력 소비(최대)：
125W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
21A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO263-3
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 1mA
드레인-소스 전압(Vdss)：
200 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1900 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
130mOhm @ 13.5A, 10V
