IPB080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB080N06N G사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
93 nC @ 10 V
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
80A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO263-3-2
전력 소비(최대)：
214W (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 150µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
3500 pF @ 30 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
7.7mOhm @ 80A, 10V
