IPD60R385CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
IPD60R385CPBTMA1사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
9A (Tc)
전력 소비(최대)：
83W (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
22 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO252-3-11
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.5V @ 340µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
790 pF @ 100 V
