IPP091N06N G
MOSFET N-CHAN TO-220
IPP091N06N G사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
패키지/케이스：
TO-220-3
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
80A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO220-3
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
81 nC @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 130µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2800 pF @ 30 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
9.1mOhm @ 80A, 10V
