IPP12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3
IPP12CN10N G사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
패키지/케이스：
TO-220-3
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
전력 소비(최대)：
125W (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
65 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO220-3
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 83µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
67A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
12.9mOhm @ 67A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
4320 pF @ 50 V
