IPP50CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO220-3
IPP50CN10NGXKSA1사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
패키지/케이스：
TO-220-3
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
20A (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
16 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
44W (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO220-3
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 20µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 20A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1090 pF @ 50 V
