IPP60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
IPP60R199CPXKSA1사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-220-3
드레인-소스 전압(Vdss)：
650 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
16A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO220-3
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
43 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.5V @ 660µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1520 pF @ 100 V
전력 소비(최대)：
139W (Tc)
