SPB08P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
SPB08P06PGATMA1사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 250µA
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO263-3
전력 소비(최대)：
42W (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
420 pF @ 25 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
8.8A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
300mOhm @ 6.2A, 10V
