SPD01N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 800MA TO252-3
SPD01N60C3BTMA1사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
드레인-소스 전압(Vdss)：
650 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
100 pF @ 25 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
5 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO252-3-11
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.9V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
800mA (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
6Ohm @ 500mA, 10V
전력 소비(최대)：
11W (Tc)
