SPD08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
SPD08P06P사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO252-3
전력 소비(최대)：
42W (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
420 pF @ 25 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
8.83A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
300mOhm @ 6.2A, 10V
