SPI12N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
SPI12N50C3XKSA1사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1200 pF @ 25 V
전력 소비(최대)：
125W (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO262-3-1
드레인-소스 전압(Vdss)：
560 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
380mOhm @ 7A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
49 nC @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.9V @ 500µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
11.6A (Tc)
