SPU03N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
SPU03N60S5BKMA1사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
패키지/케이스：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
16 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
38W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.4Ohm @ 2A, 10V
공급자 장치 패키지：
PG-TO251-3-21
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
420 pF @ 25 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.2A (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
5.5V @ 135µA
