SPU04N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
SPU04N60C3BKMA1사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비(최대)：
50W (Tc)
드레인-소스 전압(Vdss)：
650 V
패키지/케이스：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
25 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO251-3-21
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4.5A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.9V @ 200µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
490 pF @ 25 V
