SPU18P06P
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3
SPU18P06P사양
장착 유형：
Through Hole
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 1mA
공급자 장치 패키지：
PG-TO251-3
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
33 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
18.6A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
130mOhm @ 13.2A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
860 pF @ 25 V
