HAT2267H-EL-E
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
HAT2267H-EL-E사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
150°C (TJ)
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
6V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
80 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
패키지/케이스：
SC-100, SOT-669
공급자 장치 패키지：
LFPAK
전력 소비(최대)：
25W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
25A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 12.5A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2150 pF @ 10 V
