2N7000G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7000G사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5Ohm @ 500mA, 10V
패키지/케이스：
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지：
TO-92 (TO-226)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
200mA (Ta)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
60 pF @ 25 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 1mA
전력 소비(최대)：
350mW (Tc)
