BS108G
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
BS108G사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비(최대)：
350mW (Ta)
패키지/케이스：
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
드레인-소스 전압(Vdss)：
200 V
공급자 장치 패키지：
TO-92 (TO-226)
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.5V @ 1mA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
250mA (Ta)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
150 pF @ 25 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
2V, 2.8V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
8Ohm @ 100mA, 2.8V
