NTD4302-1G
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
NTD4302-1G사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
패키지/케이스：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
공급자 장치 패키지：
IPAK
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 20A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2400 pF @ 24 V
전력 소비(최대)：
1.04W (Ta), 75W (Tc)
