NTD4815NT4G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
NTD4815NT4G사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 250µA
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지：
DPAK
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 11.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
15mOhm @ 30A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6.9A (Ta), 35A (Tc)
전력 소비(최대)：
1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
6.6 nC @ 4.5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
770 pF @ 12 V
