NTD50N03R-35G
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
NTD50N03R-35G사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
25 V
공급자 장치 패키지：
IPAK
패키지/케이스：
TO-251-3 Stub Leads, IPAK
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 11.5V
전력 소비(최대)：
1.5W (Ta), 50W (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
750 pF @ 12 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 30A, 11.5V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
15 nC @ 11.5 V
