NTD6600N-001
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
NTD6600N-001사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2V @ 250µA
패키지/케이스：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
5V
공급자 장치 패키지：
IPAK
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
20 nC @ 5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
700 pF @ 25 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
146mOhm @ 6A, 5V
전력 소비(최대)：
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
