NTD80N02
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
NTD80N02사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지：
DPAK
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
80A (Tc)
드레인-소스 전압(Vdss)：
24 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
42 nC @ 4.5 V
전력 소비(최대)：
75W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5.8mOhm @ 80A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2600 pF @ 20 V
