NTHD3101FT3G
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
NTHD3101FT3G사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±8V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.5V @ 250µA
전력 소비(최대)：
1.1W (Ta)
FET 기능：
Schottky Diode (Isolated)
공급자 장치 패키지：
ChipFET™
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
680 pF @ 10 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
7.4 nC @ 4.5 V
패키지/케이스：
8-SMD, Flat Leads
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.2A (Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
80mOhm @ 3.2A, 4.5V
