NTHD4P02FT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
NTHD4P02FT1G사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-SMD, Flat Lead
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
2.5V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±12V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
6 nC @ 4.5 V
FET 기능：
Schottky Diode (Isolated)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
300 pF @ 10 V
공급자 장치 패키지：
ChipFET™
전력 소비(최대)：
1.1W (Tj)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
2.2A (Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
155mOhm @ 2.2A, 4.5V
