NTMD2C02R2SG
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A 8SOIC
NTMD2C02R2SG사양
장착 유형：
Surface Mount
공급자 장치 패키지：
8-SOIC
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구성：
N and P-Channel
FET 기능：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.2V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
전력 - 최대：
2W
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1100pF @ 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
43mOhm @ 4A, 4.5V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
5.2A, 3.4A
