NTMD6P02R2SG
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NTMD6P02R2SG사양
장착 유형：
Surface Mount
공급자 장치 패키지：
8-SOIC
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.2V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
구성：
2 P-Channel (Dual)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4.8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
35nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1700pF @ 16V
전력 - 최대：
750mW
