NTMS5P02R2SG
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
NTMS5P02R2SG사양
장착 유형：
Surface Mount
공급자 장치 패키지：
8-SOIC
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
2.5V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.25V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
35 nC @ 4.5 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.95A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1900 pF @ 16 V
전력 소비(최대)：
790mW (Ta)
