NTMSD2P102R2
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
NTMSD2P102R2사양
장착 유형：
Surface Mount
공급자 장치 패키지：
8-SOIC
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
18 nC @ 4.5 V
FET 기능：
Schottky Diode (Isolated)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
2.3A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
90mOhm @ 2.4A, 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
750 pF @ 16 V
