NTMSD3P102R2SG
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
NTMSD3P102R2SG사양
장착 유형：
Surface Mount
공급자 장치 패키지：
8-SOIC
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 250µA
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
25 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
730mW (Ta)
FET 기능：
Schottky Diode (Isolated)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
750 pF @ 16 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
2.34A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
85mOhm @ 3.05A, 10V
