NTR1P02T3G
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
NTR1P02T3G사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
공급자 장치 패키지：
SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.3V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
1A (Ta)
전력 소비(최대)：
400mW (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
180mOhm @ 1.5A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
2.5 nC @ 5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
165 pF @ 5 V
