NTR2101PT1
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT23-3
NTR2101PT1사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(최대)：
±8V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 250µA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
공급자 장치 패키지：
SOT-23-3 (TO-236)
드레인-소스 전압(Vdss)：
8 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.7A (Ta)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
15 nC @ 4.5 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
52mOhm @ 3.5A, 4.5V
전력 소비(최대)：
960mW (Ta)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1173 pF @ 4 V
