NTZS3151PT5G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
NTZS3151PT5G사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±8V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 250µA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
패키지/케이스：
SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지：
SOT-563
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
150mOhm @ 950mA, 4.5V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
5.6 nC @ 4.5 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
860mA (Ta)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
458 pF @ 16 V
전력 소비(최대)：
170mW (Ta)
