APT10M11B2VFRG
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
APT10M11B2VFRG사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
100A (Tc)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(최대)：
±30V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 2.5mA
패키지/케이스：
TO-247-3 Variant
전력 소비(최대)：
520W (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
450 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
10300 pF @ 25 V
공급자 장치 패키지：
T-MAX™
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 500mA, 10V
